La présente invention concerne une nanoparticule semi-conductrice, plus grande que les nanoparticules semi-conductrices de type à centre/coque conventionnel, simple à gérer et qui possède une grande quantité d'émission due à une zone d'émission supérieure, sans changement de la longueur d'onde d'émission. L'invention concerne également un procédé de fabrication de ces nanoparticules semi-conductrices. La nanoparticule semi-conductrice possède une section creuse au centre et une couche de centre et une couche de coque. L'épaisseur de la couche du centre est de 2 à 10 nm. La couche du centre et la couche de la coque sont formées de types différents de semi-conducteurs, ainsi que d'une largeur de bande du semi-conducteur formant la couche de coque supérieure à celle d'un cristal formant la couche du centre.