La présente invention concerne un procédé de production d'une feuille en phase solide (105) d'un matériau semi-conducteur sur la surface d'un substrat (101) en touchant le substrat (101) ayant une surface (S11) divisée par une rainure périphérique (102) en une partie périphérique et une partie intérieure entourée par la rainure périphérique (102) ou le substrat (101) dans lequel la partie périphérique est couplée à une partie de la partie intérieure à du liquide de fusion d'un matériau semi-conducteur, on résout le problème selon lequel la feuille en phase solide (105) est fissurée par un réservoir se produisant sur la surface de celle-ci, ce qui provoque une diminution du rendement. Des fentes (103) sont réalisées dans la surface du substrat (101) sur la partie intérieure de celui-ci. De préférence, les fentes (103) sont faites à l'arrière dans la direction de déplacement quand la surface (S11) du substrat (101) est touchée par le liquide de fusion d'un matériau semi-conducteur. Mieux encore, une pluralité de fentes (103) sont faites à partir de la rainure périphérique (102) vers la partie intérieure dans la direction de déplacement quand le substrat (101) touche le liquide de fusion d'un matériau semi-conducteur.