La présente invention a trait au champ des équipements et procédés de traitement semi-conducteur et fournit, en particulier, des procédés et équipements pour la production soutenue en grand volume de matériau semi-conducteur de composé de groupe III-V convenant à la fabrication de composants optiques et électroniques, pour utilisation comme substrats pour déposition épitaxiale, pour galettes et ainsi de suite. Dans des modes de réalisation préférés, ces procédés et équipements sont optimisés pour la fabrication de galettes semi-conductrices de composé de groupe III-N (azote) et spécifiquement pour la production de galettes GaN. Spécifiquement, le précurseur est acheminé selon un débit massique d'au moins 50g d'élément de groupe III/heure pendant au moins 48 heures pour faciliter la fabrication en grand volume du matériau semi-conducteur. Avantageusement, le débit massique du précurseur de groupe III gazeux est régulé pour délivrer la quantité désirée.