Gravure humide appropriÉe pour crÉer des coupes carrÉes dans du silicium, et structures rÉsultantes
| N° de brevet: |
WO2007143072 (A2) |
| Date de publication: |
2007-12-13 |
| Inventeur(s): |
LEE WHONCHEE [US];FUCSKO JANOS [US];WELLS DAVID H [US]; |
| Demandeur(s): |
MICRON TECHNOLOGY INC [US];LEE WHONCHEE [US];FUCSKO JANOS [US];WELLS DAVID H [US]; |
| Classification: |
B81C1/00;C30B29/06;C30B33/08;H01L21/306; |
| N° de demande: |
WO2007US12904 20070531 |
| Numéro(s) de priorité: |
US20060445718 20060602 |
L'invention concerne un procédé de gravure de silicium monocristallin qui consiste notamment à obtenir un substrat de silicium monocristallin renfermant au moins une tranchée. Le substrat est exposé à une solution tamponnée de gravure aux fluorures qui creuse le silicium pour obtenir des rebords latéraux dans la direction . La structure résultante comprend un motif gravé sous-jacent dans la direction .
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