La structure de microcommutateur comprend sur un substrat 1 recouvert d'une couche de passivation 2, une première ligne signal LS-IN et une deuxième ligne signal LS-OUT disposées dans le prolongement l'une de l'autre, séparées par une zone de commutation 10; une électrode de commande 3 dans la dite zone, un matériau diélectrique 4 à forte permittivité relative invariante en fréquence, disposé sur l'électrode de commande en sorte qu'entre les deux lignes signal, l'électrode de commande est plus large des deux côtés et dans la direction orthogonale, le diélectrique déborde des deux côtés de l'électrode de commande, et repose sur la couche de passivation; des lignes de masse parallèles, disposées de façon symétrique de part et d'autre des lignes signal et réalisées sur un niveau topologique séparé de celui des lignes signal par au moins une couche d'isolant dans un matériau différent de celui de la couche de passivation,