L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat monocristallin de diamant, dans lequel un monocristal est développé à partir d'un monocristal de diamant servant de substrat germe par synthèse en phase de vapeur, ledit procédé consistant à : préparer un substrat germe de monocristal de diamant qui a une surface principale dont l'orientation planaire fait partie d'une gamme d'inclination n'excédant pas 8 degrés par rapport au plan (100) ou au plan (111), comme substrat de graine ; former une pluralité de plans de différentes orientations qui sont inclinés dans la direction périphérique externe de la surface principale par rapport à la surface principale d'un côté du substrat germe, par usinage ; et faire croître un monocristal de diamant par synthèse en phase de vapeur.