DISPOSITIF ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE BARRES DE SILICIUM D'UNE GRANDE PURETÉ AU MOYEN DE D'ÉLÉMENTS D'ÂME MIXTES

N° de brevet: WO2007133025 (A1)
Date de publication: 2007-11-22
Inventeur(s): KIM HEE YOUNG [KR];YOON KYUNG KOO [KR];PARK YONG KI [KR];SO WON WOOK [KR];CHOI WON CHOON [KR];
Demandeur(s): KOREA RES INST CHEM TECH [KR];KIM HEE YOUNG [KR];YOON KYUNG KOO [KR];PARK YONG KI [KR];SO WON WOOK [KR];CHOI WON CHOON [KR];
Classification: C30B29/06;C30B25/18;
N° de demande: WO2007KR02345 20070511 
Numéro(s) de priorité: KR20060042301 20060511 
Procédé et dispositif de fabrication d'une barre de silicium polycristallin au moyen d'éléments d'âme mixtes. Ce procédé englobe les opérations suivantes: mise en place d'un premier élément d'âme fait d'un matériau résistif conjointement avec un second élément d'âme en silicium dans l'espace intérieur d'un réacteur de déposition; chauffage par électricité du premier élément d'âme et préchauffage du second élément d'âme par le premier élément d'âme chauffé électriquement; et introduction d'un gaz de réaction dans l'espace intérieur de sorte que le premier et le second éléments d'âme sont chauffés en vue du dépôt du silicium.

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