L'invention concerne un procédé basse température et une configuration de système de dépôt de couche de silicium dopé sur un substrat de silicium de nuance sélectionnée. Le substrat de silicium fait office d'absorbeur de lumière et la couche de silicium dopé fait office d'émetteur. Le procédé comprend les phases suivantes : positionnement du substrat de silicium dans une chambre convenant à un dépôt chimique en phase vapeur de la couche de silicium dopé sur le substrat de silicium, une surface externe du substrat de silicium permettant la croissance de film cristallin ; utilisation d'une pluralité de paramètres de traitement permettant de régler la croissance de la couche de silicium dopé, la pluralité de paramètres de traitement comprenant un premier paramètre de traitement d'une température de traitement pour empêcher la diffusion des atomes dopants dans la surface externe du substrat de silicium, et un second paramètre de traitement d'un niveau de dilution d'hydrogène permettant de fournir les atomes d'hydrogène en surplus pour affecter la cristallinité de couche de la structure atomique de la couche de silicium dopé ; exposition de la surface externe du substrat de silicium dans la chambre à une vapeur dans des conditions de dépôt chimique en phase vapeur ambiantes appropriées, la vapeur englobant des atomes de silicium, des atomes dopants et les atomes d'hydrogène en surplus, les atomes devant servir à la croissance de la couche de silicium dopé ; déclenchement de la croissance de la couche de silicium dopé sur la surface externe pour constituer une interface entre la couche de silicium dopé et le substrat de silicium, de telle sorte que la couche de silicium dopé comporte des premières régions structurelles atomiques présentant une qualité plus élevée de la cristallinité de couche à côté de l'interface avec des secondes régions structurelles atomiques adjacentes de qualité inférieure de la cristallinité de couche avec des concentrations accrues des défauts de cristal pour augmenter l'épaisseur de la couche de silicium dopé à partir de l'interface. Le substrat de silicium et la couche dopée (ou mince film) résultants peuvent s'utiliser dans la fabrication de cellules photovoltaïques.