La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un cristal de nitrure de gallium, lequel, lorsqu'un cristal de nitrure de gallium est développé en utilisant un substrat de nitrure de gallium comprenant une région d'agrégation par translocation et une région d'inversion est utilisé en tant que substrat de germe cristallin, peut fabriquer un cristal de nitrure de gallium, qui a une faible densité de translocation et, en même temps, présente une bonne cristalinité et, en outre, est moins susceptible d'entraîner des fissures lors du polissage après la découpe. En incrustant la région d'agrégation par translocation et la région d'inversion (17a) pour le développement d'un cristal de nitrure de gallium (79), le cristal de nitrure de gallium (79) se développe à une température de développement supérieure à 1100 °C et inférieure ou égale à 1300 °C. Selon cette constitution, la translocation effectuée à partir de la région d'agrégation par translocation et la région d'inversion (17a) peut être réduite, et l'occurrence d'une nouvelle translocation dans la région d'agrégation par translocation et la région d'inversion (17a) peut être supprimée. On peut obtenir une bonne cristalinité du cristal de nitrure de gallium (79) et, en même temps, il est moins probable d'observer des fissures lors du polissage après la découpe du cristal de nitrure de gallium (79).