La présente invention concerne un procédé et un appareil de production de silicium granulaire permettant de produire efficacement du silicium granulaire polycristallin ou monocristallin à forte cristallinité. Un matériau de silicium brut est chauffé dans un creuset de fusion afin de le faire fondre. La coulée du matériau de silicium brut est éjectée par un trou d'embout placé dans le fond du creuset de fusion tandis qu'une pression donnée est appliquée à la surface supérieure de la coulée de silicium dans le creuset de fusion. La coulée de silicium éjectée peut descendre à l'état fondu à travers un tube de chute constitué de telle sorte que de fines particules utilisables comme cristaux germes sont placées dans un certain espace sans en tomber. Cela permet de faire croître des cristaux sur les particules fines sous forme de noyau et de les solidifier sous forme granulaire.