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PROCÉDÉ DE MESURE DE LA DISTANCE ENTRE UN RÉFLECTEUR DE RÉFÉRENCE ET UNE SURFACE FONDUE, PROCÉDÉ DE CONTRÔLE DE LA POSITION DE LA SURFACE FONDUE EN UTILISANT CELUI–CI ET APPAREIL DE PRODUCTION DE CRISTAUX SIMPLES DE SILICIUM
Procédé de mesure de la distance relative entre un réflecteur de référence installé au-dessus de la surface fondue et la surface de fusion lorsqu'un cristal de silicium simple est retiré du matériau fondu dans un creuset par le procédé CZ. Le procédé est caractérisé en ce que le cristal de silicium simple est retiré en appliquant un champ magnétique, l'image réelle du réflecteur de référence et l'image inverse du réflecteur de référence reflétée à partir de la surface fondue étant capturées par des moyens de détection, l'image réelle capturée du réflecteur de référence et l'image inverse capturée sont traitées séparément, la distance relative entre les images réelle et inverse du réflecteur de référence est calculée à partir des images traitées et ainsi, la distance relative entre le réflecteur de référence et la surface fondue est mesurée. De cette façon, un procédé plus stable et plus précis de mesure de la distance entre le réflecteur de référence et la surface fondue est proposé.
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