L'invention décrit un dispositif et un procédé de fabrication de matériaux monocristallins ou multicristallins par le procédé de congélation à gradient vertical, en particulier du silicium pour des applications dans la photovoltaïque. L'objet de l'invention sera obtenu avec de faibles pertes, du fait que la coupe du creuset est un polygone, en particulier rectangulaire ou carrée. Autour de la circonférence du creuset, il est prévu un élément de chauffage (7) plat, en particulier un réchauffeur d'enveloppe, qui produit un profil de température hétérogène. Celui-ci correspond à des gradients de températures qui sont formés dans le centre du creuset. La puissance de chauffage de l'élément de chauffage plat diminue de l'extrémité supérieure à l'extrémité inférieure du creuset. L'élément de chauffage plat se compose d'une pluralité de barres de chauffage parallèles qui se prolongent formant des méandres verticaux ou horizontaux. La puissance de chauffage des barres est ajustée en changeant la coupe du conducteur. Pour éviter une surchauffe locale dans les secteurs angulaires du creuset il est prévu des rétrécissements de coupe prévus à des secteurs d'inversion de la propagation des méandres des barres. L'élément de chauffage plat peut être formé d'une pluralité de segments individuels reliés ensembles.