Une couche de nitrure de groupe III-V de système hexagonal dotée d'une cristallinité de très grande qualité capable d'améliorer les caractéristiques d'un dispositif semi-conducteur tel qu'un élément électroluminescent. La couche de nitrure de groupe III-V appartenant au système hexagonal formé sur un substrat présentant une constante de réseau différente présente une orientation de face de croissance {1-100}, où la largeur entière à la moitié du maximum b SUB 1 /SUB de la dépendance angulaire de la puissance de diffraction des rayons X sur une {1-210} face perpendiculaire à l'orientation de face de croissance sur l'angle d'incidence du rayon X depuis une direction parallèle à la face de croissance satisfait à une relation 0,01°="b" SUB 1 /SUB ="0",5°, ou bien la largeur entière à la moitié du maximum b SUB 2 /SUB de la dépendance angulaire de la puissance de difraction des rayons X sur une {0001} face de même incidence que le rayon X depuis une direction parallèle à la face de croissance satisfait à une relation 0,01°="b" SUB 2 /SUB ="0",5°.