Procédés, système et dispositif pour formation de film épitaxial comprenant une chambre épitaxiale conçue pour former un tel film sur se substrat; un collecteur pour gaz de dépôt conçu pour fournir au moins un gaz de dépôt et un gaz porteur à la couche épitaxiale; et un collecteur pour gaz de gravure, distinct du collecteur pour gaz de dépôt, conçu pour fournir au moins un gaz de gravure et un gaz porteur à la chambre épitaxiale. L'invention porte également sur de nombreux autres aspects.