Selon la présente invention, un matériau brut de silicium est versé dans un creuset en graphite (10), le creuset en graphite (10) est chauffé pour former un bain de silicium à l'état fondu (M), au moins un élément des terres rares et au moins un élément parmi Sn, Al et Ge sont ajoutés dans le bain de silicium à l'état fondu (M), et un gradient de température est maintenu dans le bain de silicium à l'état fondu selon lequel la température diminue de l'intérieur du bain de silicium à l'état fondu vers la surface de ce bain de silicium à l'état fondu (S), tout en développant un monocristal de carbure de silicium à partir d'un grain de cristal de carbure de silicium (14) maintenu immédiatement au-dessous de la surface du liquide fondu.