Un substrat cristallin de GaN présente une face de croissance cristalline (10c) et une face arrière opposée à la face de croissance cristalline (10c). La face de croissance cristalline (10c) présente une rugosité Ra(c) d'au plus 10 nanomètres et la face arrière (10r) présente une rugosité Ra(r) d'au moins 0,5 micromètre et de 10 micromètres au maximum. Le rapport Ra(r)/Ra(c) entre les deux rugosités est d'au moins 50. Un substrat cristallin de GaN dans lequel la face avant et la face arrière se distinguent facilement l'une de l'autre est ainsi obtenu sans avoir d'influence sur la morphologie de la couche semi-conductrice qui croît sur le substrat cristallin de GaN.