La présente invention concerne des dispositifs et des procédés de fabrication de semi-conducteur. Plus particulièrement la présente invention concerne une méthode pour former une couche de nitrure du groupe III de haute qualité sur un substrat de silicium et le dispositif ainsi obtenu. Selon le procédé, une étape de pré dosage est appliquée à un substrat de silicium, où le substrat est exposé à au moins 0,01 µmol/cm2 d'un ou de plusieurs composés organométalliques contenant Al, dans un écoulement de moins de 5 µmol/min. L'invention est également relative à la structure de semi-conducteur obtenue par le procédé, et à un dispositif comportant ladite structure.