Procédé de préparation d'un matériau du type III–nitrure sur un substrat en silicium

N° de brevet: EP1842940 (A1)
Date de publication: 2007-10-10
Inventeur(s): CHENG KAI [BE];LEYS MAARTEN [NL];DEGROOTE STEFAN [BE];
Demandeur(s): IMEC INTER UNI MICRO ELECTR [BE];
Classification: C30B25/02;C30B29/40;C30B29/36;H01L21/36;
N° de demande: EP20060118018 20060727 
Numéro(s) de priorité: US20060789861P 20060406 
L'invention concerne une technologie et des dispositifs de traitement des semi-conducteurs. En particulier, l'invention a trait à un procédé pour réaliser une couche de nitrure du groupe III de haute qualité sur un substrat de silicium et à un dispositif obtenu par le dit procédé.

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