PROCEDE POUR PRODUIRE DES SUBSTRATS DE GAN OU DE ALXGA1–XN ORIENTES DANS LE PLAN C

N° de brevet: EP1841902 (A1)
Date de publication: 2007-10-10
Inventeur(s): RICHTER EBERHARD [DE];TRAENKLE GUENTHER [DE];WEYERS MARKUS [DE];
Demandeur(s): FREIBERGER COMPOUND MAT GMBH [DE];
Classification: C30B25/18;C30B29/40;
N° de demande: EP20060707740 20060118 
Numéro(s) de priorité: WO2006EP50272 20060118;DE200510003884 20050124 
Un couvercle supérieur (6) formant une partie supérieure d'une enveloppe (2) est constitué par un métal (un alliage d'aluminium ou analogues) ayant une performance de rayonnement thermique élevée. Le couvercle supérieur (6) sert de puits de chaleur (élément de rayonnement thermique) 20 rayonnant la chaleur produite par les composants électroniques dans l'enveloppe (2) vers une partie externe. Une pluralité d'ailettes de rayonnement thermique en forme de plaque plate (21) sont fournies dans une surface supérieure (20a) du puits de chaleur (20). Une cannelure (22) formant chacun des ailettes de rayonnement thermique (21) est ouverte dans une surface latérale (20b) du puits de chaleur (20) sans former une marche.

Copyright © 2008 Patfr.com Tous droits réservés. Contact