La présente invention concerne des nanoparticules semi-conductrices présentant une structure noyau/enveloppe dans laquelle le rapport de l'épaisseur de l'enveloppe au diamètre de particule de la partie noyau est une valeur optimale pour une propriété optique nécessaire à un élément optique. Les nanoparticules semi-conductrices présentent une structure noyau/enveloppe dans laquelle la partie enveloppe n'est pas supérieure en taille à la moitié du diamètre de particule de la partie noyau. Le diamètre de particule de la partie noyau est inférieure à 20 nm et l'épaisseur de la partie enveloppe est égale ou supérieure à 0,2 nm. En variante, le diamètre de particule de la partie noyau est comprise entre 20 et 100 nm et l'épaisseur de la partie enveloppe est au moins 1/100 du diamètre de particule de la partie noyau. La partie noyau contient au moins un élément choisi parmi le groupe constitué de B, C, N, Al, Si, P, S, Zn, Ga, Ge, As, Se, Cd, In, Sb, et Te. Les nanoparticules semi-conductrices sont caractérisées en ce que la partie enveloppe comporte une composition présentant une largeur de bande interdite supérieure à la partie noyau.