Procédé de fabrication d'une structure en forme de plaque comprenant au moins un substrat (3), un superstrat (5) et au moins une couche intermédiaire (4) interposée entre le substrat et le superstrat, consistant : à former sur un substrat, au moins une couche intermédiaire comprenant au moins un matériau de base dans lequel sont répartis des atomes ou molécules dits extrinsèques, différents des atomes ou molécules du matériau de base, de façon à constituer une sous-structure (2) ; à appliquer à cette sous-structure (2) un traitement thermique de base tel que, dans la plage de température de ce traitement thermique, la présence des atomes ou molécules extrinsèques choisis dans le matériau de base choisi engendre une transformation structurelle de ladite couche intermédiaire ; et à assembler un superstrat (5) sur ladite couche intermédiaire (4) traitée thermiquement, de façon à obtenir ladite structure (1) en forme de plaque.Application du procédé à la fabrication de structures semiconductrices démontables.