La présente invention concerne un procédé de croissance directe de nanostructures réseau tridimensionnelles Le procédé, également appelé procédé par évaporation à chaud, utilise des poudres de métaux en tant que matières premières et des tranches de silicium, des tranches d'oxyde d'aluminium ou d'autres matériaux résistants aux hautes températures en tant que substrats. Les nanostructures réseau tridimensionnelles constituées d'oxydes métalliques sous la forme de monocristaux sont produites sur un substrat en chauffant les poudres de métaux jusqu'à une certaine température puis en les maintenant pendant une période donnée sous un gaz inerte. La technique employée par le procédé est simple et directe et le coût des matières premières est faible. Les nanostructures réseau tridimensionnelles finales jouissent de perspectives d'application étendues dans le domaine des dispositifs microélectroniques sous vide et des dispositifs de détection de gaz.