Nanostructures semiconducteurs et leur fabrication- Brevets EP1755155 (A2)

Nanostructures semiconducteurs et leur fabrication

N° de brevet:	EP1755155 (A2)
Date de publication:	2007-02-21
Inventeur(s):	RANGANATH TIRUMALA R [US];YI SUNGSOO [US];MCALLISTER WILLIAM H [US];
Demandeur(s):	AGILENT TECHNOLOGIES INC [US];
Classification:	B82B3/00;C30B11/12;H01L21/265;
N° de demande:	EP20060001544 20060125
Numéro(s) de priorité:	US20050203758 20050815

Pendant la croissance de nanofils semiconducteurs (94, 106, 152) sur un substrat (12), ont lieu différentes réactions vapeur-liquide-solide respectives, qui forment respectivement des segments cibles (98, 116, 124) et des segments sacrificiels (96, 108, 132) des nanofils semiconducteurs (94, 106, 152) en des emplacements de croissance définis par des particules de catalyseur. Les segments sacrificiels (96, 108, 132) des nanofils semiconducteurs (94, 106, 152) sont éliminés sélectivement pour former des nanostructures semiconductrices (104, 151, 172) qui correspondent aux segments cibles (98, 116, 124) des nanofils semiconducteurs (94, 106, 152)