La présente invention concerne un transistor à effet de champ à nanotube de carbone, c.-à-d. un transistor à effet de champ dans lequel un canal formé par un nanotube de carbone est fixé à un substrat par un matériau d'affinité avec les nanotubes de carbone. Le transistor à effet de champ est fabriqué par un procédé comportant : une étape de préparation d'un substrat sur lequel l'emplacement où doivent être situées une électrode de source et une électrode de drain est modifié par le matériau d'affinité avec les nanotubes de carbones ; une étape de placement du nanotube de carbone pour placer le nanotube de carbone sur l'emplacement de position des électrodes sur le substrat ; et une étape de placement des électrodes pour placer une électrode de source et une électrode de drain sur l'emplacement de position des électrodes sur le substrat.