Nanofils et leur méthode de fabrication

N° de brevet: EP1700935 (A1)
Date de publication: 2006-09-13
Inventeur(s): CHOI BYOUNG-LYONG [KR];LEE EUN-KYUNG [KR];
Demandeur(s): SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD [KR];
Classification: B82B3/00;C30B11/12;C30B29/60;
N° de demande: EP20060251195 20060307 
Numéro(s) de priorité: KR20050019579 20050309 
L'invention concerne des fils nanométriques et leur procédé de fabrication. Le procédé comprend la réalisation de micro-rainures avec un certain nombre de micro-cavités, les micro-rainures formant une configuration régulière à la surface d'un substrat de silicium, la réalisation d'une couche métallique sur le substrat de silicium en déposant un matériau qui sert de catalyseur pour former les fils nanométriques sur le substrat de silicium, l'agglomération de la couche métallique dans les micro-rainures à la surface du substrat de silicium par chauffage de la couche métallique afin de former les catalyseurs et la croissance de fils nanométriques entre les catalyseurs et le substrat de silicium en utilisant un traitement thermique.

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