L'invention concerne un procédé permettant de produire un nanocristal coeur-enveloppe constitué d'un matériau semi-conducteur. Généralement, le coeur peut comprendre du CdTe et l'enveloppe peut être du CdS. L'enveloppe est synthétisée sur le coeur dans une solution aqueuse. Dans ce procédé, les coeurs précédemment synthétisés sont placés dans la solution aqueuse, les réactifs qui forment l'enveloppe et un thiol tel que de l'acide 3-mercaptopropionique (MPA) sont ajoutés et le mélange est reflué jusqu'à ce que l'enveloppe soit terminée à l'épaisseur voulue. Le placement d'une zone d'interface entre l'enveloppe et le coeur contribue à la synthèse de l'enveloppe de façon que l'inégalité des paramètres de maille entre le coeur et l'enveloppe soit réduite. La zone d'interface peut être produite au moyen d'un procédé qui produit un coeur à alliage à gradient présentant des taux élevés de soufre, par exemple, au niveau de la surface par rapport au centre du coeur. Dans une variante, la zone d'interface peut être une couche séparée sur un coeur homogène.