Procédé de réalisation d'un support d'épitaxie, comportant la formation, dans un premier substrat (2) de carbure de silicium (SiC) ou de nitrure de gallium (GaN) monocristallin conducteur, d'une couche (14) de carbure de silicium monocristallin isolant ou de nitrure de gallium monocristallin isolant. Le procédé comprend en outre le report de cette couche de carbure de silicium ou de nitrure de gallium monocristallin sur un deuxième substrat (4) en matériau céramique polycristallin ayant une conductivité thermique supérieure ou égale à 1,5 W.cm SU-1 /SU.K SU-1 /SU. Ce procédé permet de réaliser des composants électroniques économiques et performants, notamment pour des applications haute-fréquences de puissance.