L'invention concerne un procédé pour produire des nanocristaux hautement monodispersés, lequel procédé consiste : a) à préparer un précurseur comprenant un ion métallique et un ligand de coordination, b) à dissoudre le précurseur dans un mélange de solvants contenant un solvant de coordination et un solvant éventuellement sans coordination, c) à augmenter la température du mélange de l'étape b dans la plage de 150 DEG C à 350 DEG C, d) à ajouter un chalcogène au mélange chauffé à l'étape c, ce chalcogène réagissant avec le précurseur, e) à baisser la température du mélange de l'étape d pour arrêter la réaction et e) à maintenir le mélange refroidi à l'étape e pendant une durée suffisante à une température suffisante pour diminuer la distribution granulométrique des nanocristaux. Ces procédés réduisent considérablement ou éliminent le besoin d'oxyde de trioctylphosphine (TOPO), fournissent un contrôle sur la taille des particules et permettent de produire facilement des nanocristaux de haute qualité et de très petits diamètres (< 4 nm). Les nanocristaux produits selon ces procédés sont représentés dans la figure.