Technique de formation de matériaux isolants nanostructurésUne technique de formation de matériau diélectrique nanostructuré au-dessus d'un matériau semi-conducteur ou d'un matériau conducteur caractérisée en ce qu'elle consiste en un cycle de réactions moléculaires et de saturation des surfaces comprenant des étapes successives et indissociables pour faire croître un matériau isolant à nanostructures dont chaque nanostructure peut être épaisse de 4, 10 ou 15 Angstroms et formant des composés stables comme par exemple des composés de LaaHfbOcNd entrant dans la fabrication de mémoires DRAM, de transistor et de composants passifs et capacitifs et permettant d'atteindre des épaisseurs électriques équivalentes en dioxyde de silicium inférieures à 8 Angstroms.