Structure d'interconnexion de semi-conducteur incluant un substrat de semi-conducteur, un dispositif actif de semi-conducteur formé dans le substrat, une couche de matériau diélectrique à faible k, une première couche conductrice dessinée, une seconde couche conductrice dessinée et une couche supérieure formée dessus. La couche de matériau à faible k est formée sur le dispositif à semi-conducteur. La première ligne conductrice est formée dans la couche de matériau à faible k et raccordée au dispositif actif à semi-conducteur. La seconde ligne conductrice est formée dans la couche de matériau à faible k mais n'est pas électriquement raccordée au dispositif actif à semi-conducteur. La couche supérieure est formée sur la couche de matériau à faible k, les première et seconde lignes conductrices. La couche supérieure inclut du silicium et du carbone. Etant donné que la force d'adhésion entre la couche supérieure et la couche conductrice dessinée est supérieure à la force d'adhésion entre la couche supérieure et la couche de matériau à faible k, l'ajout d'une seconde couche conductrice dessinée élimine l'éventualité globale de délaminage entre la surface de contact de la couche supérieure avec le matériau à faible k et les première et seconde couches conductrices dessinées.