Une méthode d'implantation ionique consiste à balayer réciproquement un faisceau d'ions dans une direction X par un champ électrique ou un champ magnétique et commander mécaniquement réciproquement un substrat dans une direction Y orthogonale à la direction X pour implanter des ions sur toute la surface du substrat. Une distribution de dose qui est non uniforme dans le plan du substrat est formée dans le plan du substrat en changeant au moins une, de la vitesses de balayage du faisceau d'ions et de la vitesse de commande du substrat dans un secteur où le faisceau d'ions est incident sur le substrat.