Méthode de préparation d'un nanoparticule semi–conductrice

N° de brevet: EP1559765 (A2)
Date de publication: 2005-08-03
Inventeur(s): SATO KEIICHI [JP];KUWABATA SUSUMU [JP];
Demandeur(s): HITACHI SOFTWARE ENG [JP];
Classification: B82B3/00;C09K11/02;C09K11/08;C09K11/54;C09K11/55;C09K11/56;C09K11/59;C09K11/62;C09K11/66;C09K11/67;C09K11/68;C09K11/70;C09K11/74;
N° de demande: EP20050001945 20050131 
Numéro(s) de priorité: JP20040025250 20040202 
Une réaction dans laquelle un matériel de traitement de surface pour fournir une nano-particule semi-conductrice avec un ou plusieurs types de groupe libérant des électrons est ajouté et dans lequel les groupes libérant des électrons sont arrangés sur la surface de la nano-particule semi-conductrice, est accélérée en irradiant la nano-particule semi-conductrice avec de la lumière pendant la modification de surface, réduisant ainsi le temps de réaction.

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