Des modes de réalisation de l'invention concernent des appareils et des procédés distribuant des gaz de traitement sur la surface d'une pièce. Dans un mode de réalisation de l'invention, un des gaz de traitement s'écoule vers une surface d'une plaquette semiconductrice via une pomme de douche de distribution de gaz sensiblement circulaire définissant une pluralité de trous. Le première ensemble de trous situés au centre de la plaque avant sont agencés d'une manière non concentrique ne présentant pas de symétrie radiale. Cet agencement asymétrique permet d'obtenir une densité maximum de trous et des gaz distribués à partir de ceux-ci. Pour compenser les expositions non uniformes des bords de la plaquette aux gaz s'écoulant à travers le premier ensemble de trous, la périphérie de la plaque avant définit un second ensemble de trous agencés de manière concentrique et présentant une symétrie radiale. Le traitement des substrats avec des gaz s'écoulant à travers le premier et le second ensemble de trous entraîne la formation de films présentant une uniformité améliorée à travers des régions s'étendant du centre vers les bords.