L'invention concerne une plaquette recuite fabriquée en soumettant une plaquette en silicium fabriquée à partir d'un cristal de silicium unique formé par la méthode de Czochralski, à un traitement thermique. Cette plaquette recuite est caractérisée en ce que toute sa surface constitue une zone N ne présentant aucun défaut de croissance et aucun OSF, en ce que le taux de rendement de la tension de claquage de film d'oxyde caractéristique de cette zone, à une profondeur d'au moins 5 microns, à partir de la surface de la plaquette, est supérieur ou égal à 95 %, que la densité des précipités d'oxygène de la plaquette est supérieure ou égale à 1x10 9 /cm 3 , et que le rapport de la valeur maximale par rapport à la valeur minimale (valeur maximale/valeur minimale) de la densité des précipités d'oxygène de la surface de la plaquette est compris entre 1 et 10. Par conséquent, la tension de claquage de film d'oxyde caractéristique de la partie de couche de surface de la plaquette, à savoir la zone de fabrication de dispositifs, est excellente, la densité des précipités d'oxygène est très régulière dans le plan de la partie de masse de la plaquette, à l'étape où la plaquette n'est pas encore arrivée dans le processus de dispositif, et la plaquette présente une excellente capacité IG. L'invention concerne une méthode pour fabriquer une telle plaquette recuite.