L'invention porte sur un dispositif de fabrication de semi-conducteurs comprenant une chambre de traitement (11), une voie de transfert (12) pour le chargement/déchargement d'une plaquette dans/de la chambre de traitement (11), un passage d'évacuation (13) pour évacuer un gaz de traitement dans la chambre de traitement (11), une conduite d'évacuation (40, 40'), et également un module de chauffage de forme classique (50, 60, 70, 80, 170, 270). Afin de chauffer les parois internes (11a, 11b, 12a, 13a, 410a, 420a) de la chambre de traitement (11), de la voie de transfert (12), d'un passage d'évacuation (13) et es conduites d'évacuation (410, 420), un module de chauffage de forme classique est formé de sorte qu'un élément chauffant à résistance pris en sandwich ente une paire de plaques métalliques recouvre les parois internes de l'intérieur. En conséquence, le rendement de chauffage des parois exposées au gaz de traitement est accru, ce qui évite aux sous-produits d'adhérer et de détériorer l'élément chauffant à résistance.