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PROCEDES ET SYSTEMES DESTINES A DES PROCESSUS DE FABRICATION DE SEMI–CONDUCTEURS
L'invention concerne une chambre (35) de traitement destinée à traiter un substrat (30) et à surveiller le traitement effectué sur le substrat (30), comprenant un support (45), une entrée de gaz, un activateur de gaz, une évacuation (85), et une paroi (38) pourvue d'une cavité (145) dont la dimension permet de réduire le dépôt des résidus de traitement. Un système (35) de surveillance de traitement peut être utilisé pour surveiller un traitement mis en oeuvre sur le substrat (30) dans la chambre (25) de traitement à travers la cavité (145) située dans la paroi (38).
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