L'invention concerne un matériau de base semi-conducteur, comprenant un substrat (1) présentant une surface de croissance épitaxiale irrégulière, comme le montre la fig.1 (a). Lorsque se produit la croissance épitaxiale en phase vapeur des cristaux GaN, la surface irrégulière supprime une croissance latérale et génère une croissance dans une direction en axe C de manière à former une surface de base sur laquelle peut être formée une surface à facettes et, comme le montre la fig.1 (b), les cristaux sur lesquels est formée la surface à facettes se développent sur les parties en saillie ainsi que sur les parties en retrait. Lorsque la croissance du cristal se produit, les films obtenus des parties en saillie et en retrait sont connectés les uns aux autres pour finalement recouvrir la surface irrégulière, comme le montre la fig.1 (c), afin de l'aplatir et, dans ce cas, une zone à faible densité de dislocation est formée sur les parties supérieures des parties en saillie comprenant la surface à facettes de manière à augmenter la qualité du film.