L'invention porte sur un procédé d'obtention de tranches de silicium à poli miroir et à arrondi minimal du bord périphérique comparativement simple, sur un procédé d'obtention de tranches de silicium adhésives à couche SOI (silicium sur isolant) ou à couche adhésive dont la zone périphérique extérieure est éliminée ou réduite, et sur les tranches ainsi obtenues. L'invention porte également sur une tranche de silicium partiellement chanfreinée satisfaisant à la relation X1 < X2 dans laquelle X1 est la largeur chanfreinée du côté de la surface frontale de la tranche, et X2 la largeur chanfreinée du côté de la surface dorsale de la tranche. La surface frontale de la tranche ayant été amenée à un poli miroir, on la chanfreine à nouveau de manière à ce que la largeur chanfreinés du côté de la surface frontale, soit X3, satisfasse à X3 > X1.