Circuit d'attaque de grille stabilisé

N° de brevet: EP1037387 (A2)
Date de publication: 2000-09-20
Inventeur(s): MIETTINEN ERKKI [FI];
Demandeur(s): ABB INDUSTRY OY [FI];
Classification: H01F27/42;H02M1/08;H03K17/567;H03K17/691;
N° de demande: EP20000660045 20000307 
Numéro(s) de priorité: FI19990000523 19990310 
L'invention a pour objet un circuit d'attaque de grille stabilisé qui comporte un transformateur de courant (T) qui comprend un enroulement primaire et secondaire, et une unité de circuit d'attaque de grille (GD) qui comporte une tension d'entrée auxiliaire positive (Va+) et une tension d'entrée auxiliaire négative (Va-). Le circuit d'attaque de grille comporte également une diode (D) dont l'anode est reliée au pole positif de l'enroulement secondaire du transformateur de courant (T), une diode Zener (Z) dont la cathode est reliée à la cathode de la diode (D), une résistance (R) dont un côté est relié à l'anode de la diode Zener (Z) et l'autre au pole négatif de la bobine secondaire du transformateur de courant (T), un premier commutateur semi-conducteur (T1) dont l'électrode de commande est reliée au point situé entre la diode Zener et la résistance, et dont le collecteur est relié à la cathode de la diode Zener, un deuxième commutateur semi-conducteur (T2) dont l'électrode de commande (B) est reliée au point situé entre la diode Zener et la résistance et dont le collecteur est relié au pole négatif de l'enroulement secondaire du transformateur de courant (T) et l'émetteur est relié à l'émetteur du premier commutateur semi-conducteur (T1), une première capacité (C1) dont le premier pôle est relié au collecteur du premier commutateur semi-conducteur (T1) et dont le second pôle est relié à l'émetteur du second commutateur semi-conducteur (T1), le premier pôle de la capacité (C1) formant une tension d'entrée positive (V+) connectée à la tension d'entrée positive auxiliaire (Va+) de l'unité de circuit d'attaque de grille (GD), et une seconde capacité (C2) dont le premier pôle est relié à l'émetteur du second commutateur semi-conducteur (T2) et dont le second pôle est relié au collecteur du second commutateur semi-conducteur (T2), le second pôle de la capacité (C2) formant une tension d'entrée négative (V+) connectée à la tension d'entrée négative auxiliaire (Va+) de l'unité de circuit d'attaque de grille (GD), auquel cas le point situé entre les capacités (C1, C2) forme le potentiel zéro (Corn) entre les tensions d'entrée positive (V+) et négative (V-).

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