Cette invention concerne un procédé de fabrication pour tranche de silicium . Ce procédé comporte une pluralité d'opérations de polissage sur au moins un côté de la tranche, la dernière de ces opérations consistant en un traitement thermique en atmosphère hydrogène-argon au moyen d'un dispositif de chauffage et de refroidissement brusques. Ce procédé permet d'obtenir des tranches présentant une surface lisse, exempte de déformations, de rayures et de dislocations par glissement, ceci pour une productivité accrue.