L'invention concerne un matériau cristallin SiGe dans lequel les grains constituant le cristal présentent une taille égale ou supérieure à 5 x 10 -5 mm 3 . Le matériau cristallin SiGe présente un indice de performance amélioré sous forme d'un élément thermoélectrique, une excellente aptitude au traitement, et est exempt de détérioration de ses propriétés et de fissuration pendant son utilisation.