Pour réaliser un circuit de détection à haute fréquence de puissance constituant un circuit de détection par un semi-conducteur de GaAs et de ce fait capable de réaliser à un circuit de petite taille à coût faible, et à large bande de détection et capable de supprimer des variations des caractéristiques de détection en raison des variations d'une tension de pincement des transistors à effet de champ, la présente invention concerne un circuit de détection pour détecter une enveloppe d'un signal à haute fréquence, comportant un transistor à effet de champ (Q1) par la grille duquel le signal à haute fréquence est entré, un circuit de polarisation de grille (61) pour fournir une tension de polarisation de grille à la grille du transistor à effet de champ, un condensateur (CD) relié entre le drain du transistor à effet de champ et la masse, et un condensateur de charge (CL) et une résistance de charge (RL) reliés en parallèle entre la source du transistor à effet de champ et la masse, où un signal de détection (Vout) correspondant à l'enveloppe du signal d'entrée à haute fréquence est délivré par la source de transistor à effet de champ.