Un procédé et un montage pour déterminer l'information d'état d'un semi-conducteur de haute puissance, le semi-conducteur de puissance comportant un collecteur (c), un émetteur (e) et une grille (g), et un driver de grille (3) comportant une entrée auxiliaire de tension, est relié à la grille du semi-conducteur de puissance. Le procédé est caractérisé par des étapes où la tension auxiliaire (Vcc) du driver de grille (3) est utilisée comme tension de référence, la tension de saturation (Vsat) du semi-conducteur de puissance (1) est comparée à la tension de référence en utilisant un optoisolant (4), et un signal de détection d'information d'état est généré en fonction des valeurs de la tension de saturation et de la tension de référence.