L'invention concerne un procédé de traitement thermique pour une plaquette monocristalline de silicium, comprenant des étapes consistant à soumettre à un traitement thermique sous atmosphère réductrice une plaquette monocristalline de silicium fabriquée par croissance d'un lingot monocristallin selon la méthode de Czochralski, caractérisé en ce que la plaquette obtenue à partir du lingot de silicium monocristallin qui a une concentration en oxygène de 16 ppma ou moins est fabriquée par tirage à une vitesse de croissance de 0,6 mm par minute ou plus, avec une densité élevée de CO(particules d'origine cristalline) qui nécessite un traitement de recuit à 1200 degrés C ou plus pendant une seconde ou davantage au moyen d'un appareil de chauffage ou de refroidissement rapide, ou à 1200 degrés C ou plus pendant 30 minutes si l'on utilise un four de traitement par lots, ainsi que la plaquette monocristalline de silicium sans défauts obtenue par ce procédé. Il est possible de fabriquer une plaquette monocristalline de silicium dans laquelle les défauts cristallins existant à la surface de la plaquette, ou dans la partie de la couche de surface, sont réduits au minimum et d'obtenir une plaquette monocristalline de silicium pour un dispositif qui aura d'excellentes caractéristiques électriques telles que la tension de claquage de l'oxyde diélectrique et la fiabilité électrique.