Durant la production d'un film épitaxial optique en monocristal à partir d'une fonte contenant un métal de transition sur un substrat en monocristal par une méthode épitaxiale en phase liquide, le processus contient les étapes de: recuit du film à une température prédéterminée dans une atmosphère d'ozone, et augmentation et diminution de la température vers et depuis la température prédéterminée. Pendant au moins l'une des étapes d'augmentation de température et de diminution de température, le film est exposé à une atmosphère essentiellement exempte d'ozone. Ceci permet une amélioration du coefficient optique d'absorption.