Procédé de production d'un capteur d'accélération à semi–conducteur

N° de brevet: EP0802416 (A2)
Date de publication: 1997-10-22
Inventeur(s): SHINOGI MASATAKA [JP];SAITOH YUTAKA [JP];KATO KENJI [JP];
Demandeur(s): SEIKO INSTR R &;D CENTER INC [JP];
Classification: B81B3/00;B81C1/00;G01P15/08;G01P15/12;H01L21/301;H01L29/84;
N° de demande: EP19970302661 19970418 
Numéro(s) de priorité: JP19960098892 19960419;JP19970035313 19970219 
Un procédé de fabrication d'un capteur d'accéléromètre 12 à partir d'une tranche de semi conducteur 1 est décrit, dans lequel une piézorésistance 21 est formée sur la tranche de semiconducteur 1 et la tranche est fixée dans un mandrin de refroidissement 6 pour détacher les tranches du cristal avec une lame 3.

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