La présente invention concerne un monocristal supraconducteur à température élevée en vrac, répondant à la formule MBa2 Cu3 07-x dans laquelle M est choisi dans le groupe constitué par Y, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er et Yb; et x est un nombre ayant une valeur d'environ 0,1 à environ 1,0 qui est produit par un nouveau procédé comprenant: i) des poudres de départ produites par pyrolyse par atomisation à la combustion, ii) une nouvelle poudre d'enfournement et/ou iii) un procédé de croissance isotherme suivi.