L'invention concerne un élément photorécepteur comprenant un substrat électriquement conducteur, une couche photoconductrice composée d'un matériau non uni-cristallin contenant au moins des atomes de silicium comme une matrice formée sur ledit substrat en décomposant un gaz de matériau brut contenant du silicium, et une couche protectrice de surface composée d'un matériau carboné non uni-cristallin contenant de l'hydrogène formé sur ladite couche photoconductrice en décomposant un gaz de matériau brut comprenant au moins un hydrocarbone en utilisant une puissance de haute fréquence avec une fréquence d'oscillation de 50 MHz à 450 MHz, où une zone de couche latérale de surface de 20 Å ou plus épaisse de ladite couche protectrice de surface composée dudit matériau carboné non uni-cristallin est gravée à une vitesse de gravure de 0,1 à 50 Å/sec au moyen d'un plasma contenant du fluor produit en décomposant un gaz contenant du fluor en utilisant une puissance à haute fréquence avec une fréquence d'oscillation de 50 MHz à 450 MHz telle que ladite couche protectrice de surface possède une épaisseur de 100 à 10000 Å et possède une surface gravée déposée avec des atomes de fluor de façon à couvrir ladite surface gravée. L'invention concerne également un procédé de production dudit élément photorécepteur.