L'invention concerne un procédé de croissance épitaxiale apte à diminuer les variations de résistance d'une couche épitaxiale résultants d'une distribution de température au même plan d'une plaquette de silicium (14), et apte à réduire les particules et le voile. Ce procédé de croissance épitaxiale concerne la croissance d'une couche épitaxiale en silicium dopé au bore ou au phosphore sur la surface d'une plaquette de silicium (14) avec une distribution de température au même plan de 2 à 50 degrés C. Ce procédé comprend les étapes suivantes: disposer la plaquette de silicium (14) dans une enceinte de réaction (2); envoyer dans cette enceinte (2) un gaz source contenant (a) du silane, (b) 5 à 600 volumes % de chlorure d'hydrogène ajouté au silane, et (c) un dopant consistant en un composé de bore ou de phosphore; et faire croître une couche épitaxiale de silicium dopé au phosphore ou au bore sur la surface de la plaquette (14) en établissant un degré de vide entre 2 et 200 torr dans l'enceinte de réaction (2) et en chauffant la plaquette (14) entre 900 et 1100 degrés C.