Appareillage et procédé pour le réglage de la position initiale de la surface d'un bain fondu

N° de brevet: EP0781872 (A2)
Date de publication: 1997-07-02
Inventeur(s): URANO MASAHIKO [JP];OZAKI ATSUSHI [JP];KAKEGAWA TOMOHIRO [JP];NAKANO HIDEKI [JP];
Demandeur(s): SHINETSU HANDOTAI KK [JP];
Classification: C30B15/20;C30B15/26;
N° de demande: EP19960309095 19961213 
Numéro(s) de priorité: JP19950351274 19951227 
L'invention concerne un procédé et un appareil apte à régler automatiquement la position initiale de la surface d'un bain sans l'aide d'un opérateur. Dans un appareil de tirage d'un monocristal utilisant un fil en tant que suspente pour un germe de cristal pour la croissance d'un monocristal de silicium, ou analogue, selon la méthode Czochralski, une position de référence du germe cristallin est détectée, le fil est déroulé pour abaisser son extrémité jusqu'à une position plus haute d'une distance W-X par rapport à la position de référence, puis il est tiré vers le haut au-dessus de ladite position de référence pour corriger le fil en extension grâce au poids du monocristal qui lui est fixé. Le fil est levé au-dessus du mélange pendant environ dix minutes pour obtenir une constance d'extension du fil grâce à la chaleur du bain. Ces opérations sont réalisées automatiquement.

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